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 Vertical Channel-All-Around (CAA) IGZO FET under 50 nm CD with High Read Current of 32.8 μA/μm (Vth + 1 V), Well-performed Thermal Stability up to 120 ℃ for Low Latency, High-density 2T0C 3D DRAM Application 相关领域
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期刊：2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Kailiang Huang; Xinlv Duan; Junxiao Feng; Ying Sun; Congyan Lu; et al 出版日期：2022-06-12 |
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