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X-Band GaN HEMTs on Diamond Substrate With Record RF Output Power Density of 25 W/mm and Low Channel Temperature |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Xingye Zhou; Guo Zhou; Yuanjie Lv; Yichang Wu; Huifeng Zhao; et al 出版日期:2026-07-01 |
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