Selective Epitaxial Si:P Film for nMOSFET Application: High Phosphorous Concentration and High Tensile Strain

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标题	Selective Epitaxial Si:P Film for nMOSFET Application: High Phosphorous Concentration and High Tensile Strain
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1149/06406.0959ecst
DOI	10.1149/06406.0959ecst doi
其它	期刊：作者：Xuebin Li; A. Dube; Z. Ye; Shashank Sharma; Y. Kim; et al 出版日期：2014-08-12
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