| 标题 |
 A New Cell Topology for 4H-SiC Planar Power MOSFETs and Comparison with Hexagonal and Octagonal Cell Topologies 一种新的4H-SiC平面功率MOSFET单元拓扑及其与六边形和八边形单元拓扑的比较
相关领域
平面的
MOSFET
拓扑（电路）
电容
材料科学
六方晶系
功率MOSFET
功率（物理）
网络拓扑
光电子学
电气工程
电子工程
计算机科学
物理
工程类
化学
结晶学
晶体管
电极
电压
计算机图形学（图像）
操作系统
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
归尘
打卡下班
热心市民小红花
乐乐乐乐乐乐
Zoo
CAOHOU
昏睡的蟠桃
蛇從革
哈基米德
嘿嘿
fanyueyue
鸣笛
eric888
超帅连虎
ED
iNk
yar
酷酷友容
子车茗
zchchem
皖公网安备34019202002308
