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 Field‐effect transistors based on AlGaN/GaN/AlGaN double‐heterostructures grown by MBE MBE生长AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构场效应晶体管
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期刊：Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics 作者：S. B. Aleksandrov; Dmitry Baranov; V. P. Chaly; D. M. Krasovitsky; M. V. Pavlenko; et al 出版日期：2005-03-22 |
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