Impact of carrier injection and recombination on the −3 dB bandwidth for GaN-based VCSELs

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标题	Impact of carrier injection and recombination on the −3 dB bandwidth for GaN-based VCSELs 载流子注入和复合对GaN基VCSEL−3 dB带宽的影响相关领域光学材料科学带宽（计算）光电子学自发辐射激光器物理电信计算机科学
网址	https://opg.optica.org/ol/abstract.cfm?uri=ol-50-11-3720
DOI	10.1364/OL.562956 doi
求助人	隔水一路秋在 2025-06-23 08:42:13 发布自江苏，悬赏 10 积分
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