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![]() 通过暴露于Ga通量从GaAs衬底上通过Ga2O3转化为Ga2O的氧化物解吸研究
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期刊:Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures Processing Measurement and Phenomena 作者:Z. R. Wasilewski; J.‐M. Baribeau; M. Beaulieu; Xin Wu; G. I. Sproule 出版日期:2004-05-01 |
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