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 AlF3 film deposited by IAD with end-Hall ion source using SF6 as working gas 以SF6为工作气体的端霍尔离子源IAD沉积AlF3薄膜
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期刊：Applied Surface Science 作者：Huang‐Lu Chen; Jin‐Cherng Hsu; Paul W. Wang; Yung-Hsin Lin; Kung-Tung Wu; et al 出版日期：2009-06-10 |
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