Design of temperature-based adaptive refresh circuit for 2T array memory

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标题	Design of temperature-based adaptive refresh circuit for 2T array memory 相关领域冗余（工程）内存刷新计算机数据存储功率消耗计算机科学电气工程功率（物理）计算机硬件工程类半导体存储器计算机存储器量子力学操作系统物理
网址	https://doi.org/10.1108/cw-11-2020-0310
DOI	10.1108/cw-11-2020-0310 doi
其它	期刊：Circuit World 作者：Wanjun Yin; Lin-na Jiang 出版日期：2022-09-19
求助人	tabblk 在 2026-01-11 08:05:33 发布自福建，悬赏 10 积分
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