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标题
A screening test of GaN-HEMTs for improvement of breakdown voltage uniformity
GaN-HEMTs提高击穿电压均匀性的筛选试验
相关领域
击穿电压 光电子学 材料科学 电压 高电子迁移率晶体管 电气工程 电子工程 工程类 晶体管
网址
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2025.115643
DOI
10.1016/j.microrel.2025.115643 doi
其它 期刊：Microelectronics Reliability
作者：Wataru Saito; Shin‐ichi Nishizawa
出版日期：2025-03-05
求助人
雪白一曲 在 2025-12-04 17:56:29 发布自山东，悬赏 10 积分
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