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 Methodology for Characterizing Degradation Locations of Planar and Trench Gate SiC Power Mosfets Under Repetitive Short-Circuit Stress 重复短路应力下平面和沟槽栅SiC功率MOSFET退化位置的表征方法
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期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Yi Yang; Mingchao Yang; Zhaoyuan Gu; Songquan Yang; Chuanyu Han; et al 出版日期：2024-07-12 |
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