Improved Stability of GaN MIS-HEMT With 5-nm Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition SiN Gate Dielectric

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标题	Improved Stability of GaN MIS-HEMT With 5-nm Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition SiN Gate Dielectric 5-nm等离子体增强原子层沉积SiN栅介质提高GaN MIS-HEMT稳定性相关领域高电子迁移率晶体管符号电介质物理分析化学（期刊）材料科学数学光电子学量子力学化学算术电压有机化学晶体管
网址	https://doi.org/10.1109/led.2022.3194136
DOI	10.1109/led.2022.3194136 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Xinyu Liu; Sheng Zhang; Wei Ke; Yichuan Zhang; Haibo Yin; et al 出版日期：2022-07-27
求助人	chaohuix 在 2025-12-05 18:45:08 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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