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 Gate Switching Lifetime of P-Gate GaN HEMT: Circuit Characterization and Generalized Model P栅GaN HEMT的栅极开关寿命：电路特性和广义模型
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期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Bixuan Wang; Qihao Song; Yuhao Zhang 出版日期：2024-08-14 |
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