Two-Transistor Metal–Ferroelectric–Metal Field-Effect Transistor (2T-MFMFET) for Scalable Embedded Nonvolatile Memory—Part II: Experiment

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标题	Two-Transistor Metal–Ferroelectric–Metal Field-Effect Transistor (2T-MFMFET) for Scalable Embedded Nonvolatile Memory—Part II: Experiment 用于可扩展嵌入式非易失性存储器的双晶体管金属铁电金属场效应晶体管（2T-MFMFET）第二部分：实验相关领域铁电性晶体管电气工程电压材料科学数学物理拓扑（电路）光电子学工程类电介质
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2023.3323911
DOI	10.1109/ted.2023.3323911 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ming-Hung Wu; Chen-Yi Cho; Hsin‐Hui Huang; Tz-Shiuan Huang; I‐Ting Wang; et al 出版日期：2023-10-19
求助人	hewuan 在 2025-12-10 21:43:22 发布自四川，悬赏 10 积分
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