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标题
Investigation on gate oxide reliability under gate bias screening for commercial SiC planar and trench MOSFETs
商用SiC平面和沟槽MOSFET栅极偏压屏蔽下的栅极氧化物可靠性研究
相关领域
材料科学 随时间变化的栅氧化层击穿 栅氧化层 光电子学 MOSFET 可靠性（半导体） 阈值电压 沟槽 晶体管 浅沟隔离 栅极电介质 平面的 薄脆饼 负偏压温度不稳定性 氧化物 电压 电气工程 纳米技术 计算机科学 功率（物理） 工程类 物理 计算机图形学（图像） 量子力学 图层（电子） 冶金
网址
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108194
DOI
10.1016/j.mssp.2024.108194 doi
其它 期刊：Materials Science in Semiconductor Processing
作者：Limeng Shi; Jiashu Qian; Michael Jin; Monikuntala Bhattacharya; Hengyu Yu; et al
出版日期：2024-02-07
求助人
Tom 在 2025-12-15 15:33:12 发布自山东，悬赏 10 积分
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