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标题
GaN metal-oxide-semiconductor devices with ZrO2 as dielectric layers
以ZrO2为介电层的GaN金属氧化物半导体器件
相关领域
材料科学 电极 电介质 半导体 光电子学 图层（电子） 原子层沉积 氧化物 金属 纳米线 沉积（地质） 宽禁带半导体 纳米技术 冶金 化学 生物 物理化学 古生物学 沉积物
网址
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.10.214
DOI
10.1016/j.apsusc.2018.10.214 doi
其它 期刊：Applied Surface Science
作者：Guozhen Zhang; Meijuan Zheng; Jiaxian Wan; Hao Wu; Chang Liu
出版日期：2018-10-29
求助人
GPTea 在 2025-11-23 06:26:02 发布自爱尔兰，悬赏 10 积分
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