GaN metal-oxide-semiconductor devices with ZrO2 as dielectric layers

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作者
Guozhen Zhang,Meijuan Zheng,Jiaxian Wan,Hao Wu,Chang Liu
出处
期刊:Applied Surface Science [Elsevier BV]
卷期号:469: 98-102 被引量:8
标识
DOI:10.1016/j.apsusc.2018.10.214

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