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 Structural and electrical characterization of homoepitaxial (1¯02) β -Ga2O3 layers grown by halide vapor phase epitaxy using synchrotron x-ray topography and emission microscopy 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Sayleap Sdoeung; Kohei Sasaki; Chia-Hung Lin; Mohan Rajesh; Sho Hasegawa; et al 出版日期：2026-03-02 |
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