Field Effect Depletion Regions exploiting different Qox polarities for Interface Passivation in High-Resistivity Silicon Substrates

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标题	Field Effect Depletion Regions exploiting different Qox polarities for Interface Passivation in High-Resistivity Silicon Substrates
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/10133934/10133941/101339...
DOI	10.1109/vlsi-tsa/vlsi-dat57221.2023.10133956 doi
其它	期刊：2023 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA/VLSI-DAT) 作者：M. Moulin; T. Fache; M. Rack; C. Plantier; J. Lugo; et al 出版日期：2023-06-01
求助人	沉静的梦秋在 2026-04-30 23:58:15 发布自福建，悬赏 10 积分
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