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 Low-Power Transistors with Ideal p-type Ohmic Contacts Based on VS2/WSe2 van der Waals Heterostructures 基于VS2/WSe2范德华异质结构的理想p型欧姆触点低功率晶体管
相关领域
欧姆接触
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分子
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Zeng-Lin Cao; Lin Zhu; K.L. Yao 出版日期：2024-04-04 |
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