| 标题 |
 25.2 A 1.2V 8Gb 8-channel 128GB/s high-bandwidth memory (HBM) stacked DRAM with effective microbump I/O test methods using 29nm process and TSV 25.2 1.2V 8 GB 8通道128 GB/s高带宽存储器（HBM）堆叠式RAM，采用有效的微凸块I/O测试方法，采用29纳米工艺和硅穿孔
相关领域
德拉姆
中间层
炸薯条
带宽（计算）
嵌入式系统
计算机科学
内存控制器
电子工程
可测试性
可靠性（半导体）
计算机硬件
工程类
材料科学
可靠性工程
半导体存储器
电信
物理
纳米技术
功率（物理）
蚀刻（微加工）
图层（电子）
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：Dong Uk Lee; Kyung Whan Kim; Kwan Weon Kim; Hongjung Kim; Ju Young Kim; et al 出版日期：2014-02-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
null
散逸层梦游
学术雷锋
吃葡萄不吐葡萄皮
Criminology34
渡人舟
北白川anko
飘逸的大雁
sanvva
Chinlu_Lee
v0id
年年有余
madeleinli
sxlen
无极微光
学霸业
CRUSADER
Jadyn_GU
Gp1983
米海椒
皖公网安备34019202002308
