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 Low-noise Si/Si0.5Ge0.5 SOI junctionless TeraFET for designing sub-0.5 dB ultra-broadband LNA in 6G applications 用于在6G应用中设计低于0.5 dB超宽带LNA的低噪声Si/Si0.5Ge0.5 SOI无结TeraFET
相关领域
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宽带
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噪音（视频）
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期刊：Applied Physics A 作者：Mohammad Fallahnejad; Amir Khodabakhsh; Amir Amini; Mahdi Vadizadeh 出版日期：2023-04-10 |
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