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 Quantitative analysis of effect of dopant interaction on microstructural, physical, and electrical properties in laser-annealed SiGe:B:Ga film 掺杂剂相互作用对激光退火SiGe：B：Ga薄膜微观结构、物理和电学性能影响的定量分析
相关领域
掺杂剂
材料科学
兴奋剂
电阻率和电导率
退火（玻璃）
薄板电阻
表面粗糙度
光电子学
微观结构
掺杂剂活化
半导体
接触电阻
纳米技术
复合材料
图层（电子）
电气工程
工程类
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期刊：Thin Solid Films 作者：Kiseok Lee; Seunghyun Baik; Joosung Kang; Hyerin Shin; Dongmin Yoon; et al 出版日期：2022-03-07 |
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