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标题
Investigation of N + SiGe juntionless vertical TFET with gate stack for gas sensing application
用于气敏的N+SiGe栅叠层垂直TFET的研究
相关领域
材料科学 工作职能 光电子学 量子隧道 堆积 金属浇口 电极 带隙 堆栈(抽象数据类型) 栅氧化层 晶体管 纳米技术 图层(电子) 电气工程 化学 电压 有机化学 工程类 物理化学 计算机科学 程序设计语言
网址
DOI
10.1007/s00339-021-04880-4 doi
其它 期刊:Applied Physics A
作者:Shailendra Singh; Abhishek Sharma; Vikrant Kumar; Pallavi Umar; Ashish K. Rao; et al
出版日期:2021-08-31
求助人
颜色 在 2025-08-04 19:08:41 发布自甘肃,悬赏 10 积分
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