Design and Optimization of Bilayer InGaSnO and Nitrogen-Doped InSnO Thin-Film Transistors for Enhanced Mobility and Reliability

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标题	Design and Optimization of Bilayer InGaSnO and Nitrogen-Doped InSnO Thin-Film Transistors for Enhanced Mobility and Reliability
网址	https://doi.org/10.1109/jeds.2025.3552454
DOI	10.1109/JEDS.2025.3552454 doi
其它	期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Weijie Jiang; Lu Li; Chenfei Li; Wenyang Zhang; Wenzhao Wang; et al 出版日期：2025-01-01
求助人	忧郁的台灯在 2026-10-18 20:50:26 发布自四川，悬赏 10 积分
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