| 标题 |
 Correlation of Etch Pits and Dislocations in As-grown and Thermal Cycle-Annealed HgCdTe(211) Films 生长和热循环退火HgCdTe（211）薄膜中刻蚀坑和位错的相关性
相关领域
Burgers向量
材料科学
位错
部分位错
退火（玻璃）
透射电子显微镜
结晶学
腐蚀坑密度
凝聚态物理
图层（电子）
复合材料
蚀刻（微加工）
化学
纳米技术
物理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Electronic Materials 作者：M. Vaghayenegar; R. N. Jacobs; J. D. Benson; A. J. Stoltz; L. A. Almeida; et al 出版日期：2017-04-14 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Copyright
无极微光
cdercder
yjh123
烂漫的碧玉
OK
Kao
潇洒的惋清
烟消云散
Criminology34
Avalonx
疯狂加载ing
乐空思
初景
pluto
GingerF
干净的琦
学术文献互助
不配.
小米
皖公网安备34019202002308
