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Homoepitaxial growth of Ge doped β-gallium oxide thin films by mist chemical vapor deposition
雾化化学气相沉积法同质外延生长Ge掺杂β-氧化镓薄膜
相关领域
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网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/acba25
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.35848/1347-4065/acba25 doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Temma Ogawa; Hiroyuki Nishinaka; Kazuki Shimazoe; Tatsuji Nagaoka; Hiroki Miyake; et al
出版日期：2023-02-08
求助人
hui 在 2025-05-18 12:57:30 发布自福建，悬赏 10 积分
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