Impact of channel thickness scaling on the performance of GaN-on-Si RF HEMTs on highly C-doped GaN buffer

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标题	Impact of channel thickness scaling on the performance of GaN-on-Si RF HEMTs on highly C-doped GaN buffer
网址	https://doi.org/10.1109/ESSDERC55479.2022.9947147
DOI	10.1109/ESSDERC55479.2022.9947147 doi
其它	期刊：ESSDERC 2022 - IEEE 52nd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) 作者：Alireza Alian; Raul Rodriguez; Sachin Yadav; Uthayasankaran Peralagu; Arturo Sibaja Hernandez; et al 出版日期：2022
求助人	ppboyindream 在 2026-03-13 18:01:53 发布自上海，悬赏 10 积分
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