High-mobility AlGaN/GaN heterostructures directly grown on diamond (111) substrates using a high-temperature physical-vapor-deposition AlN nucleation layer

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标题	High-mobility AlGaN/GaN heterostructures directly grown on diamond (111) substrates using a high-temperature physical-vapor-deposition AlN nucleation layer
网址	https://doi.org/10.1063/5.0315800
DOI	10.1063/5.0315800 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Hongcai Yang; Xuelin Yang; Han Yang; Kexin Zhang; Zhenghao Chen; et al 出版日期：2026
求助人	晚灯在 2026-03-20 16:14:26 发布自福建，悬赏 10 积分
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