The Formation of Boron-Doped Polycrystalline Si with Extremely Low Resistivities at Low Temperatures

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标题	The Formation of Boron-Doped Polycrystalline Si with Extremely Low Resistivities at Low Temperatures
网址	DOI:10.1109/55.312073
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
求助人	ZX 在 2026-04-28 16:08:44 发布自安徽，悬赏 10 积分
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