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 Controllable p-Type Doping of 2D WSe 2 pFET by Engineered Surface Charge Transfer Doping With Metal Co-Seeding 相关领域
兴奋剂
材料科学
光电子学
铪
可控性
晶体管
钼
金属
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电子工程
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金属浇口
场效应晶体管
透射电子显微镜
MOSFET
铝
逻辑门
表面电荷
电荷（物理）
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Tien Dat Ngo; Xiangyu Wu; Kaustuv Banerjee; Olivier Richard; César Javier Lockhart de la Rosa; et al 出版日期：2025-10-03 |
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