| 标题 |
 DV/dt-Induced degradation and failure mechanisms in 1200 V SiC MOSFETs under dynamic reverse bias stress 相关领域
材料科学
降级（电信）
可靠性（半导体）
压力（语言学）
栅氧化层
平面的
电场
当前拥挤
MOSFET
浅沟隔离
碳化硅
光电子学
逻辑门
功率（物理）
功率半导体器件
功率MOSFET
限制
氧化物
应力场
领域（数学）
随时间变化的栅氧化层击穿
负偏压温度不稳定性
瞬态（计算机编程）
电子工程
切换时间
工程物理
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| 网址 | |
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| 其它 |
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：L. Kong; Jiuyang Tang; Jiaying Cao; Yifei Chang; Qingchun Jon Zhang; et al 出版日期：2026-01-06 |
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