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DV/dt-Induced degradation and failure mechanisms in 1200 V SiC MOSFETs under dynamic reverse bias stress

材料科学 降级（电信） 可靠性（半导体） 压力（语言学） 栅氧化层 平面的 电场 当前拥挤 MOSFET 浅沟隔离 碳化硅 光电子学 逻辑门 功率（物理） 功率半导体器件 功率MOSFET 限制 氧化物 应力场 领域（数学） 随时间变化的栅氧化层击穿 负偏压温度不稳定性 瞬态（计算机编程） 电子工程 切换时间 工程物理
作者
L. Kong,Jiuyang Tang,Jiaying Cao,Yifei Chang,Qingchun Jon Zhang,Pan Liu
出处
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing [Elsevier BV]
日期：2026-01-06 卷期号：206: 110406-110406
标识
DOI：10.1016/j.mssp.2026.110406
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