材料科学
降级(电信)
可靠性(半导体)
压力(语言学)
栅氧化层
平面的
电场
当前拥挤
MOSFET
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碳化硅
光电子学
逻辑门
功率(物理)
功率半导体器件
功率MOSFET
限制
氧化物
应力场
领域(数学)
随时间变化的栅氧化层击穿
负偏压温度不稳定性
瞬态(计算机编程)
电子工程
切换时间
工程物理
作者
L. Kong,Jiuyang Tang,Jiaying Cao,Yifei Chang,Qingchun Jon Zhang,Pan Liu
标识
DOI:10.1016/j.mssp.2026.110406
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