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 Research on the degradation mechanism of the electrical properties of hydrogen-terminated diamond MOS devices under X-ray irradiation 相关领域
钻石
材料科学
光电子学
辐照
辐射硬化
泄漏（经济）
半导体
饱和电流
半导体器件
饱和（图论）
氧化物
制作
宽禁带半导体
带隙
阈值电压
兴奋剂
电子迁移率
栅氧化层
反向漏电流
辐射
降级（电信）
纳米技术
吸收剂量
电压
晶体管
CMOS芯片
耗尽区
工作职能
电子
偏压
MOSFET
辐射效应
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：Kejia Wang; Zhendong Zhang; Fugui Zhou; Genhao Liang; Yuwei Fan; et al 出版日期：2026-02-03 |
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