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Interlayer Band‐to‐Band Tunneling and Negative Differential Resistance in van der Waals BP/InSe Field‐Effect Transistors |
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期刊:Advanced Functional Materials 作者:Quanshan Lv; Faguang Yan; Nobuya Mori; Wenkai Zhu; Ce Hu; et al 出版日期:2020-02-16 |
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(2025-6-4)