Nitrogen-doped Ga2O3 current blocking layer using MOCVD homoepitaxy for high-voltage and low-leakage Ga2O3 vertical device fabrication

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标题	Nitrogen-doped Ga2O3 current blocking layer using MOCVD homoepitaxy for high-voltage and low-leakage Ga2O3 vertical device fabrication
网址	https://doi.org/10.1063/5.0239622
DOI	10.1063/5.0239622 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiaorui Xu; Desen Chen; Yaoping Lu; Titao Li; Xueli Han; et al 出版日期：2024-11-11
求助人	kkk 在 2026-08-08 17:32:38 发布自福建，悬赏 10 积分
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