Hf0.5Zr0.5O₂-Based Ferroelectric Field-Effect Transistors With HfO₂ Seed Layers for Radiation-Hard Nonvolatile Memory Applications

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标题	Hf0.5Zr0.5O₂-Based Ferroelectric Field-Effect Transistors With HfO₂ Seed Layers for Radiation-Hard Nonvolatile Memory Applications
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ted.2021.3095036
DOI	10.1109/ted.2021.3095036 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Chen Liu; Wenwu Xiao; Yue Peng; Binjian Zeng; Shuaizhi Zheng; et al 出版日期：2021-09-01
求助人	GJ 在 2026-06-28 19:42:02 发布自陕西，悬赏 10 积分
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