Quasi-Zero-Dimensional Source/Drain Contact for Fermi-Level Unpinning in a Tungsten Diselenide (WSe2) Transistor: Approaching Schottky–Mott Limit

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标题	Quasi-Zero-Dimensional Source/Drain Contact for Fermi-Level Unpinning in a Tungsten Diselenide (WSe2) Transistor: Approaching Schottky–Mott Limit 二硒化钨（WSe2）晶体管费米能级去钉扎的准零维源极/漏极接触：接近肖特基-莫特极限相关领域二硒化钨材料科学钨晶体管凝聚态物理极限（数学）零（语言学）肖特基二极管二硒醚光电子学纳米技术物理过渡金属量子力学化学电压数学冶金催化作用哲学数学分析硒二极管生物化学语言学
网址	https://doi.org/10.1021/acsnano.4c09384
DOI	10.1021/acsnano.4c09384 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Euyjin Park; Seung-Hwan Kim; Seong-Ji Min; Kyu‐Hyun Han; Jong‐Hyun Kim; et al 出版日期：2024-10-15
求助人	贪玩漆在 2024-11-13 16:55:44 发布自江苏，悬赏 10 积分
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