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标题
Investigation of Saturated RON on GaN Power HEMTs by a Re-Configurable Continuous Switching Platform
基于可重构连续开关平台的GaN功率HEMT饱和RON研究
相关领域
功率（物理） 光电子学 材料科学 氮化镓 工程物理 电气工程 计算机科学 物理 纳米技术 工程类 热力学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2024.3415008
DOI
10.1109/ted.2024.3415008 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Yifei Huang; Qimeng Jiang; Sen Huang; Zhongchen Ji; Xinhua Wang; et al
出版日期：2024-07-01
求助人
风中的晓灵 在 2025-12-04 17:15:48 发布自江苏，悬赏 10 积分
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