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Scanning Transmission Electron Microscopy Analysis of the Si(111)–AlN–GaN Nanowire Interface Grown by Polarity‐ and Site‐Controlled Growth Method 极性和位控生长法生长Si(111)-AlN-GaN纳米线界面的扫描透射电镜分析
相关领域
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期刊:physica status solidi (a) 作者:Patrick Häuser; Markus Heidelmann; W. Prost; Mathias Bartsch; A. Lorke; et al 出版日期:2024-11-12 |
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