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 Quasi-Volatile MoS2 Barristor Memory for 1T Compact Neuron by Correlative Charges Trapping and Schottky Barrier Modulation 基于相关电荷俘获和肖特基势垒调制的1T紧凑型神经元准易失性MoS2压敏电阻存储器
相关领域
神经形态工程学
材料科学
尖峰神经网络
肖特基势垒
人工神经网络
晶体管
电阻式触摸屏
计算机科学
人工神经元
纳米技术
光电子学
电压
电气工程
人工智能
工程类
二极管
计算机视觉
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Jiali Huo; Huaxiang Yin; Yadong Zhang; Xiaosi Tan; Yunwei Mao; et al 出版日期：2022-12-13 |
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