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 1200-V Trench-FS IGBT: Process-Based Modeling and Short-Circuit Safe Operating Area (SCSOA) Optimization With the TOPSIS Method 1200 V Trench-FS IGBT：基于工艺的建模和TOPSIS方法的短路安全工作区(SCSOA)优化
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电压
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Yifei Chang; Jiaxuan Wang; Hao Guan; Pan Liu 出版日期：2024-11-12 |
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