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Experimental and DFT study of BaLaCuS3: Direct band gap semiconductor 直接带隙半导体BaLaCuS3的实验和DFT研究
相关领域
半导体
带隙
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锗
硫化锌
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电子结构
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期刊:Journal of Physics and Chemistry of Solids 作者:Aleksandr S. Oreshonkov; Nikita O. Azarapin; N. P. Shestakov; S. V. Adichtchev 出版日期:2020-07-27 |
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