| 标题 |
 Heterojunction channel engineering for enhanced mobility and stability of solution-processed holmium-doped indium oxide thin film transistors 提高溶液处理掺钬氧化铟薄膜晶体管迁移率和稳定性的异质结沟道工程
相关领域
材料科学
异质结
薄膜晶体管
光电子学
电子迁移率
兴奋剂
阈值电压
氧化物
晶体管
场效应
波段图
图层（电子）
纳米技术
电压
电气工程
冶金
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Zeneng Deng; Zhihao Liang; Yuexin Yang; Qiannan Ye; Honglong Ning; et al 出版日期：2024-08-08 |
| 求助人 |
腊梅
在
2025-06-01 09:50:31 发布，悬赏 10 积分
|
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
冰魂
丰知然
热心市民小红花
爱静静
平常的毛豆
昏睡的蟠桃
眯眯眼的衬衫
风清扬
科研助手6
eric888
动次打次
tramp
孙燕
jenningseastera
iNk
Cactus
挖掘机
子车茗
pcr163
FIN
皖公网安备34019202002308
