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标题
Yield and Failure Analysis of FinFET Source to Drain Leakage in 12nm Technology
相关领域
材料科学 泄漏(经济) 光电子学 板层(表面解剖学) 表征(材料科学) 晶体管 电子工程 电气工程 纳米技术 工程类 复合材料 电压 经济 宏观经济学
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DOI
10.31399/asm.cp.istfa2020p0038 doi
求助人
lan 在 2026-04-02 10:55:00 发布自江苏,悬赏 30 积分
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    lan lan Lv4 求助人 关闭了本次求助。

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  • 5个月前

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