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标题
A GaN HEMT Active Gate Driver to Combat Turn-Off Drain-Source Voltage Overshoot and EMI Based on Magnetic Coupling Closed-Loop Control
网址
DOI
10.1109/TPEL.2025.3552496 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Power Electronics
作者:Lurenhang Wang; Yishun Yan; Mingcheng Ma; Xizhi Sun; Shuaiqing Zhi; Dianguo Xu
出版日期:2025
求助人
a24017 在 2026-04-16 11:15:27 发布自广东,悬赏 10 积分
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求助 / 应助时间线
  • 5个月前,求助关闭

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