Analysis of Dislocation Contrast in Grazing Incidence Synchrotron Monochromatic Beam X-ray Topographs of 4H-SiC Wafers in 22$$\bar{4}$$ 16 Reflection

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标题	Analysis of Dislocation Contrast in Grazing Incidence Synchrotron Monochromatic Beam X-ray Topographs of 4H-SiC Wafers in 22$$\bar{4}$$ 16 Reflection
网址	https://doi.org/10.1007/s11664-025-11918-3
DOI	10.1007/s11664-025-11918-3 doi
其它	期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Zeyu Chen; Qianyu Cheng; Shanshan Hu; Balaji Raghothamachar; Michael Dudley 出版日期：2025
求助人	QC 在 2026-04-16 21:46:19 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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