| 标题 |
[高分]
 Nitridation of Metalorganic-Chemical-VaporDeposited Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> Gate Dielectrics by NH<SUB>3</SUB> Annealing 相关领域
材料科学
电介质
光电子学
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期刊：Science of Advanced Materials 作者：Gang He; X. F. Chen; J. W. Zhang; Min Zhang; Xiaohong Chen; et al 出版日期：2014-05-01 |
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