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标题
Improved resistive switching performance of amorphous InGaZnO-based memristor with the TiO2 insertion layer
TiO2插入层改善非晶InGaZnO基忆阻器的电阻开关性能
相关领域
材料科学 无定形固体 光电子学 记忆电阻器 薄膜 退火（玻璃） 溅射沉积 分析化学（期刊） 溅射 纳米技术 电子工程 复合材料 结晶学 色谱法 工程类 化学
网址
https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2023.11.196
DOI
10.1016/j.ceramint.2023.11.196 doi
其它 期刊：Ceramics International
作者：Xingxiang Fang; Xiaofeng Zhao; Chunpeng Ai; Zhipeng Yu; Sen Ding; et al
出版日期：2023-11-20
求助人
Owen 在 2025-08-26 01:59:59 发布，悬赏 10 积分
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