Strain-engineered 2D SiTe/AlSe heterostructure with high carrier mobility for enhanced optoelectronic and hydrogen evolution performance

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标题	Strain-engineered 2D SiTe/AlSe heterostructure with high carrier mobility for enhanced optoelectronic and hydrogen evolution performance 相关领域异质结拉伤光电子学材料科学氢电子迁移率纳米技术化学生物解剖有机化学
网址	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2025.164653
DOI	10.1016/j.apsusc.2025.164653 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：Zainal Abidin Talib; Ali Obies Muhsen Almayyali; Hamad Rahman Jappor 出版日期：2025-09-01
求助人	abcdef 在 2025-10-28 18:29:06 发布自陕西，悬赏 10 积分
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